Microeletrônica Projeto Toulouse
Este projeto na área da microeletrônica, fundamentalmente
se baseia nos conceitos e processos para implementação de
" chips " contendo transistores de canais NMOS, com portas
de polisilício por auto alinhamento, cuja realização
só é possível graças a parceria através
o intercâmbio entre a Universidade Santa Cecília UNISANTA
e o AIME ( Atelier Interuniversitaire de MicroElectronique ), pertinente
ao INSA ( Institut National des Scienses Appliquées ) da Universidade
de Toulouse França.
Objeto
Devido
a alta tecnologia necessária à realização de
um " CI " e consequentemente os altos investimentos financeiros alocados
na aquisição de equipamentos extremamente sofisticados como
microscópios eletrônicos, fornos de altas temperaturas, câmaras
de vácuo, computadores de médio porte, micro processadores,
sala de fotolitografia, sala limpa de alta assepsia e super pressionada,
reator LPCVD ( Low Pressure Chemical Vapour Deposition ), equipamentos
para teste químicos e eletrônicos a nível molecular, etc, o intercâmbio entre a UNISANTA e o AIME, tem como objetivo
principal permitir que os alunos do curso de graduação
de engenharia eletrônica, de telemática e de computação,
possam ter acesso a uma tecnologia de ponta que no Brasil, dificilmente
poderiam encontrar em cursos ao nível de graduação.
Convênio
Cabe ao professor DJALMIR CORRÊA MENDES, devidamente autorizado pela
direção das Faculdades de Engenharia Eletrônica, de
Telemática e de Computação da UNISANTA, coordenar
o projeto.
Contatos preliminares e permanentes com o AIME através seu diretor
Gérard Rey, pesquisa e desenvolvimentos dos projetos, seleção
e organização das turmas para os estágios, assistência
e orientação aos alunos na França, busca de ajudas
financeiras para realização do intercâmbio, etc, são
entre outras, algumas das metas a serem alcançadas pela coordenação
do convênio.
As turmas para o intercâmbio, são compostas pelo coordenador,
dois professores e doze alunos. Normalmente, o AIME reserva uma semana
no início dos meses de julho para atender o grupo da UNISANTA .
Da Universidade de Toulouse e do INSA recebe-se apoio quanto ao alojamento
para todos dias do estágio, acesso ao campus e restaurante universitário,
material para fabricação dos " chips ", material didático
em apostilas, uso da " Salle Blanche " ( Sala Limpa ) e seus equipamentos,
inclusive os de segurança individual. Além de todo este apoio,
há um sólido e amigável acompanhamento dos professores
e técnicos franceses, chefiados pelo Prof Dr Jean Louis Noullet,
proporcionando aos alunos brasileiros um rendimento realmente relevante.
Processo
para Implementação de CHIPs
O " AIME ", apesar de seguir os princípios básicos na fabricação
de um chip de tecnologia MOS, mantém variantes próprias no
processo, tendo em vista torná-lo mais didático possível,
de simples assimilação e de alta confiabilidade. Assim sendo,
para o " Atelier " o que mais importa, é que fique claro os caminhos
ou etapas a serem alcançadas na elaboração do produto
final.
Por exemplo, para a implementação do elemento ativo fundamental
de um " CI ", o transistor NMOS com " porta " auto alinhada,
as etapas podem ser definidas como :
01 - Análise e caracterização do
substrato tipo P
02 - Oxidação de Mascaramento
03 - Fotogravura 1 : Abertura da difusão
04 - Limpeza R.C.A.
05 - Oxidação seca para a realização
da Porta
06 - Depósito de Polisilício dopado tipo
N por LPCVD
07 - Fotogravura 2 : Abertura no Polisilício
por plasma
Abertura química do SiO2 da Porta
08 - Difusão de Fósforo na Fonte e no
Dreno : Pré-deposição e Redistribuição
09 - Depósito de SiO2 à baixa temperatura
por LPCVD
10 - Fotogravura 3 : Abertura dos contatos
11 - Metalização
12 - Fotogravura 4 : Gravação do Metal
13 - Recozimento do Metal
14 - Montagem / encapsulamento e teste com micropontas
15 - Teste elétrico e eletrônico
Conclusões
As etapas acima registradas, envolvem vários procedimentos específicos,
os quais podem ser consolidados de forma a evidenciar as principais fases
do processo como um todo.